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mosfet 830 hjsx
基本信息
产品报价: 电讯
产品品牌: hjsx
产品规格: 830
联系人: 金*辉
移动电话: 138****9810
固定电话: 86************3948
公司信息
公司名称: 天津瀚金盛芯科技有限公司
公司地址: 南开区白堤路248号北方交易市场703室
主营业务: molex连接器 中颖单片机 环...
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详细说明

品牌 hjsx 型号 830 种类 绝缘栅(mosfet) 沟道类型 n沟道 导电方式 增强型 开启电压 =(v) 夹断电压 =(v) 跨导 =(μs) 极间电容 =(pf) 低频噪声系数 =(db) 大漏极电流 =(ma) 大耗散功率 =(mw) 830(c) power mosfet 1 5 amps,500volts n-channel mosfet ■ description the 830(c) n-channel enhancement mode silicon gate power mosfet is designed for high voltage, high speed power switching applicatio such as switching regulato, switching converte, solenoid, motor drive, relay drive. ■ features ? rds(on) = 1.5ω@vgs = 10 v ? low gate charge ( typical 20nc) ? fast switching capability ? avalanche energy specified ? improved dv/dt capability absolute maximum ratings(tc=25℃,unless otherwise specified) ratings parameter symbol to-220 to-220f units drain-source voltage vdss 500 v gate-source voltage vgss ±30 v tc=25℃ 5.0 5.0* a drain currenet continuous tc=100℃ id 3.0 3.0* a drain current pulsed (note 1) idp 20 20* a repetitive (note 1) ear 7.6 mj avalanche energy single pulse (note 2) eas 305 mj peak diode recovery dv/dt (note 3) dv/dt 4.5 v/ tc=25℃ 76 40 w total power dissipation derate above 25℃ pd 0.6 0.32 w/℃ junction temperature tj +150 ℃ storage temperature tstg -55~+150 ℃